Ficha miembro

Actualizada septiembre 10, 2019

Publicada marzo 28, 2019

Marina Gutiérrez Peinado

Profesor Titular de Universidad

Ciencia e Ingeniería de los Materiales

Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica

0000-0002-9327-4582

35240020700

marina.gutierrez@uca.es

956016556

Articulos Proyectos Contratos Patentes Software Tesis

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Articulos publicados durante el periodo 2017 - 2021.

1.- DIAMOND/Γ-ALUMINA BAND OFFSET DETERMINATION BY XPS

2021 - Applied Surface Science, Vol.535, Issue 1, pp 146301[1]-146301[8]

Cañas, J.; Alba, G.; Leinen, D.; Lloret, F.; Gutierrez, M.; Eon, D.; Pernot, J.; Gheeraert, E.; Araújo, D.;

JCR Factor

6.707

JCR

Rank Cat.

1/21

Cat. JCR

MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS

Percentile JCR

97.619

SJR Factor

1.295

CiteScore

Rank Cat.

23/411

Cat. ASJC

CONDENSED MATTER PHYSICS

CiteScore

10.7

SNIP

1.382

DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146301

2.- STUDY OF EARLY STAGES IN THE GROWTH OF BORON-DOPED DIAMOND ON CARBON FIBERS

2021 - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.218, Issue 5, pp 1-6

Millán-Barba, J.; Gutiérrez, M.; Lloret, F.; de Villoria, R.G.; Alcántara, R.; Haenen, K.; Araújo, D.;

JCR Factor

1.981

JCR

Rank Cat.

100/160

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

37.812

SJR Factor

0.532

CiteScore

Rank Cat.

106/292

Cat. ASJC

MATERIALS CHEMISTRY

CiteScore

3.4

SNIP

0.695

DOI: 10.1002/pssa.202000284

3.- INTERFACIAL INTEGRITY ENHANCEMENT OF ATOMIC LAYER DEPOSITED ALUMINA ON BORON DOPED DIAMOND BY SURFACE PLASMA FUNCTIONALIZATION

2020 - Surface and Coatings Technology, Vol.397, Issue 9:2020, pp 125991[1]-125991[11]

Jaggernauth, A.; Silva, R.M.; Neto, M.A.; Oliveira, F.J.; Bdikin, I.K.; Alegre, M.P.; Gutiérrez, M.; Araújo, D.; Mendes, J.C.; Silva, R.F.;

JCR Factor

4.158

JCR

Rank Cat.

40/160

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

75.312

SJR Factor

0.904

CiteScore

Rank Cat.

37/292

Cat. ASJC

MATERIALS CHEMISTRY

CiteScore

6.6

SNIP

1.38

DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125991

4.- IMPROVED FIELD ELECTRON EMISSION PROPERTIES OF PHOSPHORUS AND NITROGEN CO-DOPED NANOCRYSTALLINE DIAMOND FILMS

2020 - Nanomaterials, Vol.10, Issue 6, pp 1024[1]-1024[11]

Lloret, F.; Sankaran, K.J.; Millan-Barba, J.; Desta, D.; Rouzbahani, R.; Pobedinskas, P.; Gutierrez, M.; Boyen, H.G.; Haenen, K.;

JCR Factor

5.076

JCR

Rank Cat.

35/160

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

78.438

SJR Factor

0.919

CiteScore

Rank Cat.

58/279

Cat. ASJC

CHEMICAL ENGINEERING (ALL)

CiteScore

5.4

SNIP

1.129

DOI: 10.3390/nano10061024

5.- ANALYSIS BY HR-STEM OF THE STRAIN GENERATION IN INP AFTER SIN X DEPOSITION AND ICP ETCHING

2020 - Journal of Electronic Materials, Vol.49, Issue 59, pp 5226-5231

Gutiérrez, M.; Reyes, D.F.; Araújo, D.; Landesman, J.P.; Pargon, E.;

JCR Factor

1.938

JCR

Rank Cat.

102/160

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

36.562

SJR Factor

0.422

CiteScore

Rank Cat.

108/292

Cat. ASJC

MATERIALS CHEMISTRY

CiteScore

3.3

SNIP

0.646

DOI: 10.1007/s11664-020-08312-6

6.- HOW TO GROW FULLY (100) ORIENTED SiC/Si/SiC/Si MULTI-STACK

2019 - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.216, Issue 10, pp 1800588[1]-1800588[10]

Yeghoyan, T.; Alassaad, K.; Soulière, V.; Ferro, G.; Gutierrez, M.; Araújo, D.;

JCR Factor

1.759

JCR

Rank Cat.

94/154

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

39.286

SJR Factor

0.527

CiteScore

Rank Cat.

101/287

Cat. ASJC

MATERIALS CHEMISTRY

CiteScore

3.1

SNIP

0.728

DOI: 10.1002/pssa.201800588

7.- HIGH QUALITY Al₂O₃/(100) OXYGEN-TERMINATED DIAMOND INTERFACE FOR MOSFETS FABRICATION

2018 - Applied Physics Letters, Vol.112, Issue 10, pp 102103

Pham, T.T.; Gutiérrez, M.; Masante, C.; Rouger, N.; Eon, D.; Gheeraert, E.; Araùjo, D.; Pernot, J.;

JCR Factor

3.521

JCR

Rank Cat.

31/148

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

79.392

SJR Factor

1.331

CiteScore

Rank Cat.

5/49

Cat. ASJC

PHYSICS AND ASTRONOMY (MISCELLANEOUS)

CiteScore

6.7

SNIP

1.227

DOI: 10.1063/1.5018403

8.- IMPACT OF NONHOMOEPITAXIAL DEFECTS IN DEPLETED DIAMOND MOS CAPACITORS

2018 - IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.65, Issue 5, pp 1830-1837

Pham, T.T.; Piñero, J.C.; Marechal, A.; Gutierrez, M.; Lloret, F.; Eon, D.; Gheeraert, E.; Rouger, N.; Araújo, D.; Pernot, J.;

JCR Factor

2.704

JCR

Rank Cat.

52/148

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

65.203

SJR Factor

0.853

CiteScore

Rank Cat.

123/669

Cat. ASJC

ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING

CiteScore

SNIP

1.453

DOI: 10.1109/TED.2018.2813084

9.- DIRECT GROWTH OF InAs/GaSb TYPE II SUPERLATTICE PHOTODIODES ON SILICON SUBSTRATES

2018 - IET Optoelectronics, Vol.12, Issue 1, pp 2-4

Burguete, C.G.; Guo, D.; Jurczak, P.; Cui, F.; Tang, M.; Chen, W.; Deng, Z.; Chen, Y.; Gutiérrez, M.; Chen, B.; Liu, H.; Wu, J.;

JCR Factor

1.667

JCR

Rank Cat.

57/95

Cat. JCR

OPTICS

Percentile JCR

40.526

SJR Factor

0.405

CiteScore

Rank Cat.

228/669

Cat. ASJC

ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING

CiteScore

SNIP

0.791

DOI: 10.1049/iet-opt.2017.0078

10.- GaSb AND GaSb/AlSb SUPERLATTICE BUFFER LAYERS FOR HIGH-QUALITY PHOTODIODES GROWN ON COMMERCIAL GaAs AND Si SUBSTRATES

2018 - Journal of Electronic Materials, Vol.47, Issue 9, pp 5083-5086

Gutiérrez, M.; Lloret, F.; Jurczak, P.; Wu, J.; Liu, H.Y.; Araújo, D.;

JCR Factor

1.676

JCR

Rank Cat.

85/148

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

42.905

SJR Factor

0.422

CiteScore

Rank Cat.

267/669

Cat. ASJC

ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING

CiteScore

2.5

SNIP

0.724

DOI: 10.1007/s11664-018-6388-1

11.- CONTROL OF THE ALUMINA MICROSTRUCTURE TO REDUCE GATE LEAKS IN DIAMOND MOSFETS

2018 - Nanomaterials, Vol.8, Issue 8, pp 584[1]-584[8]

Gutiérrez, M.; Lloret, F.; Pham, T.T.; Cañas, J.; Reyes, D.F.; Eon, D.; Pernot, J.; Araújo, D.;

JCR Factor

4.034

JCR

Rank Cat.

71/293

Cat. JCR

MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY

Percentile JCR

75.939

SJR Factor

0.896

CiteScore

Rank Cat.

78/273

Cat. ASJC

GENERAL CHEMICAL ENGINEERING

CiteScore

3.5

SNIP

1.144

DOI: 10.3390/nano8080584

12.- SILICON (001) HETEROEPITAXY ON 3C-SiC(001)/Si(001) SEED

2018 - Materials Science Forum, Vol.924 MSF, Issue -, pp 128-131

Yeghoyan, T.; Alassaad, K.; McMitchell, S.R.C.; Gutierrez, M.; Souliere, V.; Araújo, D.; Ferro, G.;

JCR Factor

JCR

Rank Cat.

-/-

Cat. JCR

Percentile JCR

SJR Factor

0.173

CiteScore

Rank Cat.

465/587

Cat. ASJC

MECHANICAL ENGINEERING

CiteScore

0.5

SNIP

0.314

DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.128

13.- SOLID SOLUTION STRENGTHENING IN GaSb/GaAs: A MODE TO REDUCE THE TD DENSITY THROUGH BE-DOPING

2017 - Applied Physics Letters, Vol.110, Issue 9, pp 092103[1]-092103[4]

Gutiérrez, M.; Araújo, D.; Jurczak, P.; Wu, J.; Liu, H.;

JCR Factor

3.495

JCR

Rank Cat.

29/146

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

80.479

SJR Factor

1.382

CiteScore

Rank Cat.

4/43

Cat. ASJC

PHYSICS AND ASTRONOMY (MISCELLANEOUS)

CiteScore

6.9

SNIP

1.244

DOI: 10.1063/1.4977489

14.- TWINS AND STRAIN RELAXATION IN ZINC-BLENDE GaAs NANOWIRES GROWN ON SILICON

2017 - Applied Surface Science, Vol.395, Issue -, pp 195-199

Piñero, J.C.; Araújo, D.; Pastore, C.E.; Gutierrez, M.; Frigeri, C.; Benali, A.; Lelièvre, J.F.; Gendry, M.;

JCR Factor

4.439

JCR

Rank Cat.

1/19

Cat. JCR

MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS

Percentile JCR

97.368

SJR Factor

1.093

CiteScore

Rank Cat.

11/117

Cat. ASJC

SURFACES, COATINGS AND FILMS

CiteScore

6.7

SNIP

1.328

DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.07.144

15.- 2.5-µm InGaAs PHOTODIODES GROWN ON GaAs SUBSTRATES BY INTERFACIAL MISFIT ARRAY TECHNIQUE

2017 - Infrared Physics and Technology, Vol.81, Issue -, pp 320-324

Jurczak, P.; Sablon, K.A.; Gutiérrez, M.; Liu, H.; Wu, J.;

JCR Factor

1.851

JCR

Rank Cat.

68/146

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

53.767

SJR Factor

0.54

CiteScore

Rank Cat.

75/225

Cat. ASJC

ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC MATERIALS

CiteScore

3.4

SNIP

1.16

DOI: 10.1016/j.infrared.2017.02.001

16.- PROTON RADIATION EFFECT ON InAs AVALANCHE PHOTODIODES

2017 - Optics Express, Vol.25, Issue 3, pp 2818-2825

Zhou, X.; White, B.; Meng, X.; Zhang, S.; Gutierrez, M.; Robbins, M.; Rojas, L.G.; Nelms ,N.; Tan, C.H.; Ng, J.S.;

JCR Factor

3.356

JCR

Rank Cat.

19/94

Cat. JCR

OPTICS

Percentile JCR

80.319

SJR Factor

1.519

CiteScore

Rank Cat.

17/170

Cat. ASJC

ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS, AND OPTICS

CiteScore

6.7

SNIP

1.562

DOI: 10.1364/OE.25.002818

17.- MPCVD DIAMOND LATERAL GROWTH THROUGH MICROTERRACES TO REDUCE THREADING DISLOCATIONS DENSITY

2017 - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.214, Issue 11, pp 1700242[1]-1700242[5]

Lloret, F.; Gutierrez, M.; Araújo, D.; Eon, D.; Bustarret, E.;

JCR Factor

1.795

JCR

Rank Cat.

71/146

Cat. JCR

PHYSICS, APPLIED

Percentile JCR

51.712

SJR Factor

0.648

CiteScore

Rank Cat.

31/117

Cat. ASJC

SURFACES, COATINGS AND FILMS

CiteScore

3.3

SNIP

0.762

DOI: 10.1002/pssa.201700242

Proyectos activos durante el periodo 2017 - 2021.

1.- VOLAR CON DIAMANTES: ESTRUCTURAS AEROESPACIALES CFRP CONDUCTORAS ELÉCTRICAS Y TÉRMICAS

Ref. P20-00946, Programa: Plan Andaluz de Investigación
Organismo: CONSEJERIA DE ECONOMIA, CONOCIMIENTO, EMPRESAS Y UNIVERSIDADES Fecha inicio: 2021-10-06 Fecha fin: 2022-12-31
Importe concedido: 100.000,00€ Participantes: 6
Rol: Participante

2.- RECUPERACIÓN ENERGETICA DE LAS VIBRACIONES DE ALAS DE AERONAVES A TRAVÉS DE SISTEMAS PIEZOELÉCTRICOS BASADOS EN DIAMANTES

Ref. PID2019-110219RB-I00, Programa: Plan Nacional I+D+i
Organismo: MINISTERIO DE CIENCIA, INNOVACIÓN Y UNIVERSIDADES Fecha inicio: 2020-06-01 Fecha fin: 2023-05-31
Importe concedido: 90.750,00€ Participantes: 5
Rol: Investigador Principal

3.- COMPOSITE DE FIBRA DE CARBONO (CFRP) CONDUCTOR TÉRMICO Y ELÉCTRICO POR PERCOLACIÓN DE NANO-DIAMANTES (CARBO-DIAM)

Ref. FEDER-UCA18-107851, Programa: Plan Andaluz de Investigación
Organismo: CONSEJERÍA DE ECONOMÍA Y CONOCIMIENTO. JUNTA DE ANDALUCÍA Fecha inicio: 2020-04-01 Fecha fin: 2023-03-31
Importe concedido: 152.500,00€ Participantes: 4
Rol: Participante

4.- FIBRAS DE CARBONO RECUBIERTAS DE DIAMANTE, ¿LA NUEVA GENERACIÓN DE COMPOSITES (CFRP)?.

Ref. ESP2017-91820-EXP, Programa: Plan Nacional I+D+i
Organismo: MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD. PLAN NACIONAL I+D+I Fecha inicio: 2018-11-01 Fecha fin: 2020-10-31
Importe concedido: 48.400,00€ Participantes: 1
Rol: Investigador Principal

5.- GREEN ELECTRONICS WITH DIAMOND POWER DEVICES

Ref. 640947, Programa: Programas Europeos
Organismo: UNIÓN EUROPEA Fecha inicio: 2015-05-01 Fecha fin: 2019-04-30
Importe concedido: 220.000,00€ Participantes: 6
Rol: Participante

6.- DISPOSITIVO DE ALTO VOLTAJE PARA ELECTRÓNICA DE POTENCIA VERDE: RELACIÓN NANOESTRUCTURA-FUNCIÓN.

Ref. TEC2014-54357-C2-2-R, Programa: Plan Nacional I+D+i
Organismo: MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD. PLAN NACIONAL I+D+I Fecha inicio: 2015-01-01 Fecha fin: 2017-12-31
Importe concedido: 150.645,00€ Participantes: 6
Rol: Participante

Contratos activos durante el periodo 2017 - 2021.

No existen registros para el periodo citado.

Patentes registradas por el autor

No existen registros para el periodo citado.

Software desarrollados

No existen registros para el periodo citado.

Tesis tutorizadas

No existen registros para el periodo citado.

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Articulos publicados durante el periodo 2017 - 2021.

Proyectos activos durante el periodo 2017 - 2021.

Contratos activos durante el periodo 2017 - 2021.

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Software desarrollados

Tesis tutorizadas