Ficha miembro
Ultimos articulos publicados
1.- SUPPRESSING THE EFFECT OF THE WETTING LAYER THROUGH ALAS CAPPING IN INAS/GAAS QD STRUCTURES FOR SOLAR CELLS APPLICATIONS 2022 - Nanomaterials, Vol.12, Issue 8, pp -
2.- EFFECT OF THE ALAS CAPPING LAYER THICKNESS ON THE STRUCTURE OF INAS/GaAs QD 2022 - Applied Surface Science, Vol.573, Issue -, pp 151572(1)-151572(11)
Articulos publicados durante el periodo 2017 - 2021.
1.- EVALUATION OF DIFFERENT CAPPING STRATEGIES IN THE INAS/GAAS QD SYSTEM: COMPOSITION, SIZE AND QD DENSITY FEATURES 2021 - Applied Surface Science, Vol.537, Issue -, pp -
2.- ROLE OF SB ON THE VERTICAL-ALIGNMENT OF TYPE-II STRAIN-COUPLED INAS/GAASSB MULTI QUANTUM DOTS STRUCTURES 2020 - Journal of Alloys and Compounds, Vol.832, Issue 8:2020, pp 154914[1]-154914[7]
3.- DILUTED NITRIDE TYPE-II SUPERLATTICES: OVERCOMING THE DIFFICULTIES OF BULK GaAsSbN IN SOLAR CELLS 2020 - Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol.210, Issue 6:2020, pp 110500[1]-110500[8]
4.- FORMATION MECHANISMS OF AGGLOMERATIONS IN HIGH-DENSITY InAs/GaAs QUANTUM DOT MULTI-LAYER STRUCTURES 2020 - Applied Surface Science, Vol.508, Issue 4:2020, pp 145218[1]-145218[7]
5.- OPEN CIRCUIT VOLTAGE RECOVERY IN GaAsSbN-BASED SOLAR CELLS: ROLE OF DEEP N-RELATED RADIATIVE STATES 2019 - Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol.200, Issue -, pp 109949[1]-109949[9]
6.- MODELLING OF BISMUTH SEGREGATION IN InAsBi/InAs SUPERLATTICES: DETERMINATION OF THE EXCHANGE ENERGIES 2019 - Applied Surface Science, Vol.485, Issue -, pp 29-34
7.- NITROGEN MAPPING FROM ADF IMAGING ANALYSIS IN QUATERNARY DILUTE NITRIDE SUPERLATTICES 2019 - Applied Surface Science, Vol.475, Issue -, pp 473-478
8.- CONTROL OF NITROGEN INHOMOGENEITIES IN TYPE-I AND TYPE-II GaAsSbN SUPERLATTICES FOR SOLAR CELL DEVICES 2019 - Nanomaterials, Vol.9, Issue 4, pp 623[1]-623[9]
9.- COMPOSITIONAL INHOMOGENEITIES IN TYPE-I AND TYPE-II SUPERLATTICES FOR GaAsSbN-BASED SOLAR CELLS: EFFECT OF THERMAL ANNEALING 2018 - Applied Surface Science, Vol.459, Issue -, pp 1-8
10.- SIZE AND SHAPE TUNABILITY OF SELF-ASSEMBLED InAs/GaAs NANOSTRUCTURES THROUGH THE CAPPING RATE 2018 - Applied Surface Science, Vol.444, Issue -, pp 260-266
11.- MODELLING OF THE Sb AND N DISTRIBUTION IN TYPE II GaAsSb/GaAsN SUPERLATTICES FOR SOLAR CELL APPLICATIONS 2018 - Applied Surface Science, Vol.442, Issue -, pp 664-672
12.- Sb AND N INCORPORATION INTERPLAY IN GaAsSbN/GaAs EPILAYERS NEAR LATTICE-MATCHING CONDITION FOR 1.0–1.16-eV PHOTONIC APPLICATIONS 2017 - Nanoscale Research Letters, Vol.12, Issue -, pp 356[1]-356[10]
13.- QUANTITATIVE ANALYSIS OF THE INTERPLAY BETWEEN InAs QUANTUM DOTS AND WETTING LAYER DURING THE GaAs CAPPING PROCESS 2017 - Nanotechnology, Vol.28, Issue 42, pp 425702
14.- STRAIN-BALANCED TYPE-II SUPERLATTICES FOR EFFICIENT MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS 2017 - Scientific Reports, Vol.7, Issue 1, pp 4012[1]-4012[10]
15.- THIN GaAsSb CAPPING LAYERS FOR IMPROVED PERFORMANCE OF InAs/GaAs QUANTUM DOT SOLAR CELLS 2017 - Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol.159, Issue -, pp 282-289
Proyectos activos durante el periodo 2017 - 2021.
1.- ANTIMÓNIUROS CUÁNTICOS PARA FOTÓNICA CUÁNTICA Y FOTOVOLTAICA: NANOANALISIS ESTRUCTURAL
Organismo: MINISTERIO DE CIENCIA, INNOVACIÓN Y UNIVERSIDADES Fecha inicio: 2020-06-01 Fecha fin: 2023-05-31
Importe concedido: 67.154,50€ Participantes: 3
Rol: Participante
2.- MEJORA DE LA PRODUCCIÓN DE DERIVADOS DE SÍLICE BASADOS EN PROCESOS ALTAMENTE TECNOLÓGICOS, PARA EL APROVECHAMIENTO INDUSTRIAL DE LAS ARENAS DE LA COMARCA DE LA SIERRA DE CÁDIZ
Organismo: SECRETARÍA GENERAL DE UNIVERSIDADES, INVESTIGACIÓN Y TECNOLOGÍA - JUNTA DE ANDALUCÍA Fecha inicio: 2020-04-01 Fecha fin: 2021-03-31
Importe concedido: 33.591,67€ Participantes: 4
Rol: Participante
3.- CONTRIBUCIÓN AL DESARROLLO DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS (AL)GAASSB(N) Y BI-III-V PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS DE ALTA EFICIENCIA: IMPLEMENTACIÓN DE METODOLOGÍAS AVANZADAS DE CARACTERIZACIÓN
Organismo: CONSEJERÍA DE ECONOMÍA Y CONOCIMIENTO. JUNTA DE ANDALUCÍA Fecha inicio: 2020-04-01 Fecha fin: 2022-03-31
Importe concedido: 24.766,00€ Participantes: 3
Rol: Investigador Principal
4.- NUEVAS ARQUITECTURAS BASADAS EN NANOESTRUCTURAS CON Sb PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS DE ALTA EFICIENCIA.
Organismo: MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD. PLAN NACIONAL I+D+I Fecha inicio: 2017-01-01 Fecha fin: 2019-12-29
Importe concedido: 90.750,00€ Participantes: 5
Rol: Participante
Contratos activos durante el periodo 2017 - 2021.
No existen registros para el periodo citado.Patentes registradas por el autor
No existen registros para el periodo citado.Software desarrollados
1.- EDIt: EDX Imaging
Nº Expediente. CA-00152-2014 Fecha Solicitud: 2014-02-26
Rol: Autor
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Tesis tutorizadas
1.- CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS DE ALEACIONES EMERGENTES DE GaAs(Sb)(N) PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS Y DE FOTODETECCIÓN POR TÉCNICAS DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
Doctorando: BRAZA BLANCO, VERÓNICA Fecha lectura: 05/04/2019
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
2.- ESTUDIOS DE NITRUROS ALEADOS MEDIANTE TÉCNICAS DE HACES DE ELECTRONES: IMAGEN, DIFRACCIÓN Y ESPECTROSCOPÍA
Doctorando: CARVALHO, DANIEL Fecha lectura: 29/10/2015
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
3.- CARACTERIZACIÓN Y EVALUACIÓN MEDIANTE TÉCNICAS DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE NANOHILOS SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES EN OPTO-ELECTRÓNICA
Doctorando: FATH ALLAH, RABIE Fecha lectura: 30/04/2015
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: No
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA