Ficha miembro
Daniel Araújo Gay
Catedrático de Universidad
Ciencia e Ingeniería de los Materiales
Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica
Catedrático de Universidad Ciencia e Ingeniería de los Materiales Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica 
Articulos publicados durante el periodo 2017 - 2021.
1.- DIAMOND/Γ-ALUMINA BAND OFFSET DETERMINATION BY XPS 2021 - Applied Surface Science, Vol.535, Issue 1, pp 146301[1]-146301[8]
Cañas, J.; Alba, G.; Leinen, D.; Lloret, F.; Gutierrez, M.; Eon, D.; Pernot, J.; Gheeraert, E.; Araújo, D.;
JCR Factor
6.707
JCR
Q1
Rank Cat.
1/21
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Percentile JCR
97.619
SJR Factor
1.295
CiteScore
Q1
Rank Cat.
23/411
Cat. ASJC
CONDENSED MATTER PHYSICS
CiteScore
10.7
SNIP
1.382
2.- STUDY OF EARLY STAGES IN THE GROWTH OF BORON-DOPED DIAMOND ON CARBON FIBERS 2021 - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.218, Issue 5, pp 1-6
Millán-Barba, J.; Gutiérrez, M.; Lloret, F.; de Villoria, R.G.; Alcántara, R.; Haenen, K.; Araújo, D.;
JCR Factor
1.981
JCR
Q3
Rank Cat.
100/160
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
37.812
SJR Factor
0.532
CiteScore
Q2
Rank Cat.
106/292
Cat. ASJC
MATERIALS CHEMISTRY
CiteScore
3.4
SNIP
0.695
3.- IMPACT OF METHANE CONCENTRATION ON SURFACE MORPHOLOGY AND BORON INCORPORATION OF HEAVILY BORON-DOPED SINGLE CRYSTAL DIAMOND LAYERS 2021 - Carbon, Vol.172, Issue -, pp 463-473
Rouzbahani, R.; Nicley, S.S.; Vanpoucke, D.E.P.; Lloret, F.; Pobedinskas, P.; Araújo, D.; Haenen, K.;
JCR Factor
9.594
JCR
Q1
Rank Cat.
42/335
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
Percentile JCR
87.612
SJR Factor
2.25
CiteScore
Q1
Rank Cat.
21/455
Cat. ASJC
MATERIALS SCIENCE (ALL)
CiteScore
15.7
SNIP
1.723
4.- COMPREHENSIVE NANOSCOPIC ANALYSIS OF TUNGSTEN CARBIDE/OXYGENATED-DIAMOND CONTACTS FOR SCHOTTKY BARRIER DIODES 2021 - Applied Surface Science, Vol.537, Issue -, pp -
Alba, G.; Leinen, D.; Villar, M.P.; Alcántara, R.; Piñero, J.C.; Fiori, A.; Teraji, T.; Araújo, D.;
JCR Factor
6.707
JCR
Q1
Rank Cat.
1/21
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Percentile JCR
97.619
SJR Factor
1.295
CiteScore
Q1
Rank Cat.
23/411
Cat. ASJC
CONDENSED MATTER PHYSICS
CiteScore
10.7
SNIP
1.382
5.- DISLOCATION GENERATION MECHANISMS IN HEAVILY BORON-DOPED DIAMOND EPILAYERS 2021 - Applied Physics Letters, Vol.118, Issue 5, pp -
Araujo, D.; Lloret, F.; Alba, G.; Alegre, M.P.; Villar, M.P.;
JCR Factor
3.791
JCR
Q2
Rank Cat.
47/160
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
70.938
SJR Factor
1.182
CiteScore
Q1
Rank Cat.
6/58
Cat. ASJC
PHYSICS AND ASTRONOMY (MISCELLANEOUS)
CiteScore
6.9
SNIP
1.142
DOI: 10.1063/5.0031476
6.- SELECTIVELY BORON DOPED HOMOEPITAXIAL DIAMOND GROWTH FOR POWER DEVICE APPLICATIONS 2021 - Applied Physics Letters, Vol.118, Issue 2, pp -
Lloret, F.; Eon, D.; Bustarret, E.; Donatini, F.; Araujo, D.;
JCR Factor
3.791
JCR
Q2
Rank Cat.
47/160
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
70.938
SJR Factor
1.182
CiteScore
Q1
Rank Cat.
6/58
Cat. ASJC
PHYSICS AND ASTRONOMY (MISCELLANEOUS)
CiteScore
6.9
SNIP
1.142
DOI: 10.1063/5.0031478
7.- DIAMOND FOR ELECTRONICS: MATERIALS, PROCESSING AND DEVICES 2021 - Materials, Vol.14, Issue 22, pp 7081(1)-7081(25)
Araujo, D.; Suzuki, M.; Lloret, F.; Alba, G.; Villar, P.;
JCR Factor
3.623
JCR
Q1
Rank Cat.
17/80
Cat. JCR
METALLURGY & METALLURGICAL ENGINEERING
Percentile JCR
79.375
SJR Factor
0.682
CiteScore
Q2
Rank Cat.
135/411
Cat. ASJC
CONDENSED MATTER PHYSICS
CiteScore
4.2
SNIP
1.261
DOI: 10.3390/ma14227081
8.- LATTICE PERFORMANCE DURING INITIAL STEPS OF THE SMART-CUT™ PROCESS IN SEMICONDUCTING DIAMOND: A STEM STUDY 2020 - Applied Surface Science, Vol.528, Issue 2020, pp 146998[1]-146998[6]
Piñero, J.C.; de Vecchy, J.; Fernández, D.; Alba, G.; Widiez, J.; Di Cioccio, L.; Lloret, F.; Araújo, D.; Pernot, J.;
JCR Factor
6.707
JCR
Q1
Rank Cat.
1/21
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Percentile JCR
97.619
SJR Factor
1.295
CiteScore
Q1
Rank Cat.
23/411
Cat. ASJC
CONDENSED MATTER PHYSICS
CiteScore
10.7
SNIP
1.382
9.- INTERFACIAL INTEGRITY ENHANCEMENT OF ATOMIC LAYER DEPOSITED ALUMINA ON BORON DOPED DIAMOND BY SURFACE PLASMA FUNCTIONALIZATION 2020 - Surface and Coatings Technology, Vol.397, Issue 9:2020, pp 125991[1]-125991[11]
Jaggernauth, A.; Silva, R.M.; Neto, M.A.; Oliveira, F.J.; Bdikin, I.K.; Alegre, M.P.; Gutiérrez, M.; Araújo, D.; Mendes, J.C.; Silva, R.F.;
JCR Factor
4.158
JCR
Q1
Rank Cat.
40/160
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
75.312
SJR Factor
0.904
CiteScore
Q1
Rank Cat.
37/292
Cat. ASJC
MATERIALS CHEMISTRY
CiteScore
6.6
SNIP
1.38
10.- SURFACE STATES OF (100) O-TERMINATED DIAMOND: TOWARDS OTHER 1 × 1:O RECONSTRUCTION MODELS 2020 - Nanomaterials, Vol.10, Issue 6, pp 1-15
Alba, G.; Pilar Villar, M.; Alcántara, R.; Navas, J.; Araújo, D.;
JCR Factor
5.076
JCR
Q1
Rank Cat.
35/160
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
78.438
SJR Factor
0.919
CiteScore
Q1
Rank Cat.
58/279
Cat. ASJC
CHEMICAL ENGINEERING (ALL)
CiteScore
5.4
SNIP
1.129
DOI: 10.3390/nano10061193
11.- ANALYSIS BY HR-STEM OF THE STRAIN GENERATION IN INP AFTER SIN X DEPOSITION AND ICP ETCHING 2020 - Journal of Electronic Materials, Vol.49, Issue 59, pp 5226-5231
Gutiérrez, M.; Reyes, D.F.; Araújo, D.; Landesman, J.P.; Pargon, E.;
JCR Factor
1.938
JCR
Q3
Rank Cat.
102/160
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
36.562
SJR Factor
0.422
CiteScore
Q2
Rank Cat.
108/292
Cat. ASJC
MATERIALS CHEMISTRY
CiteScore
3.3
SNIP
0.646
12.- HOW TO GROW FULLY (100) ORIENTED SiC/Si/SiC/Si MULTI-STACK 2019 - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.216, Issue 10, pp 1800588[1]-1800588[10]
Yeghoyan, T.; Alassaad, K.; Soulière, V.; Ferro, G.; Gutierrez, M.; Araújo, D.;
JCR Factor
1.759
JCR
Q3
Rank Cat.
94/154
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
39.286
SJR Factor
0.527
CiteScore
Q2
Rank Cat.
101/287
Cat. ASJC
MATERIALS CHEMISTRY
CiteScore
3.1
SNIP
0.728
13.- MICROWAVE PERMITTIVITY OF TRACE SP2 CARBON IMPURITIES IN SUB-MICRON DIAMOND POWDERS 2018 - ACS Omega, Vol.3, Issue 2, pp 2183-2192
Cuenca, J.A.; Thomas, E.L.H.; Mandal, S.; Morgan, D.J.; Lloret, F.; Araújo, D.; Williams, O.A.; Porch, A.;
JCR Factor
2.584
JCR
Q2
Rank Cat.
76/172
Cat. JCR
CHEMISTRY, MULTIDISCIPLINARY
Percentile JCR
56.105
SJR Factor
0.754
CiteScore
Q3
Rank Cat.
162/273
Cat. ASJC
GENERAL CHEMICAL ENGINEERING
CiteScore
1.4
SNIP
0.683
14.- HIGH QUALITY Al₂O₃/(100) OXYGEN-TERMINATED DIAMOND INTERFACE FOR MOSFETS FABRICATION 2018 - Applied Physics Letters, Vol.112, Issue 10, pp 102103
Pham, T.T.; Gutiérrez, M.; Masante, C.; Rouger, N.; Eon, D.; Gheeraert, E.; Araùjo, D.; Pernot, J.;
JCR Factor
3.521
JCR
Q1
Rank Cat.
31/148
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
79.392
SJR Factor
1.331
CiteScore
Q1
Rank Cat.
5/49
Cat. ASJC
PHYSICS AND ASTRONOMY (MISCELLANEOUS)
CiteScore
6.7
SNIP
1.227
DOI: 10.1063/1.5018403
15.- HIGH RESOLUTION BORON CONTENT PROFILOMETRY AT Δ-DOPING EPITAXIAL DIAMOND INTERFACES BY CTEM 2018 - Applied Surface Science, Vol.461, Issue -, pp 221-226
Piñero, J.C.; Lloret, F.; Alegre, M.P.; Villar, M.P.; Fiori, A.; Bustarret, E.; Araújo, D.;
JCR Factor
5.155
JCR
Q1
Rank Cat.
1/20
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Percentile JCR
97.5
SJR Factor
1.115
CiteScore
Q1
Rank Cat.
27/398
Cat. ASJC
CONDENSED MATTER PHYSICS
CiteScore
7.5
SNIP
1.352
16.- DETERMINATION OF ALUMINA BANDGAP AND DIELECTRIC FUNCTIONS OF DIAMOND MOS BY STEM-VEELS 2018 - Applied Surface Science, Vol.461, Issue -, pp 93-97
Cañas, J.; Piñero, J.C.; Lloret, F.; Gutierrez, M.; Pham, T.; Pernot, J.; Araújo, D.;
JCR Factor
5.155
JCR
Q1
Rank Cat.
1/20
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Percentile JCR
97.5
SJR Factor
1.115
CiteScore
Q1
Rank Cat.
27/398
Cat. ASJC
CONDENSED MATTER PHYSICS
CiteScore
7.5
SNIP
1.352
17.- OXYGEN TERMINATION OF HOMOEPITAXIAL DIAMOND SURFACE BY OZONE AND CHEMICAL METHODS: AN EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PERSPECTIVE 2018 - Applied Surface Science, Vol.433, Issue -, pp 408-418
Navas, J.; Araújo, D.; Piñero, J.C.; Sánchez-Coronilla, A.; Blanco, E.; Villar, P.; Alcántara, R.; Montserrat, J.; Florentin, M.; Eon, D.; Pernot, J.;
JCR Factor
5.155
JCR
Q1
Rank Cat.
1/20
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Percentile JCR
97.5
SJR Factor
1.115
CiteScore
Q1
Rank Cat.
27/398
Cat. ASJC
CONDENSED MATTER PHYSICS
CiteScore
7.5
SNIP
1.352
18.- THREE-DIMENSIONAL DIAMOND MPCVD GROWTH OVER MESA STRUCTURES: A GEOMETRIC MODEL FOR GROWTH SECTOR CONFIGURATION 2018 - Crystal Growth and Design, Vol.18, Issue 12, pp 7628-7632
Lloret, F.; Araújo, D.; Eon, D.; Bustarret, E.;
JCR Factor
4.153
JCR
Q1
Rank Cat.
3/26
Cat. JCR
CRYSTALLOGRAPHY
Percentile JCR
90.385
SJR Factor
1.046
CiteScore
Q1
Rank Cat.
37/398
Cat. ASJC
CONDENSED MATTER PHYSICS
CiteScore
6.7
SNIP
1.114
19.- IMPACT OF NONHOMOEPITAXIAL DEFECTS IN DEPLETED DIAMOND MOS CAPACITORS 2018 - IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.65, Issue 5, pp 1830-1837
Pham, T.T.; Piñero, J.C.; Marechal, A.; Gutierrez, M.; Lloret, F.; Eon, D.; Gheeraert, E.; Rouger, N.; Araújo, D.; Pernot, J.;
JCR Factor
2.704
JCR
Q2
Rank Cat.
52/148
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
65.203
SJR Factor
0.853
CiteScore
Q1
Rank Cat.
123/669
Cat. ASJC
ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING
CiteScore
5
SNIP
1.453
20.- GaSb AND GaSb/AlSb SUPERLATTICE BUFFER LAYERS FOR HIGH-QUALITY PHOTODIODES GROWN ON COMMERCIAL GaAs AND Si SUBSTRATES 2018 - Journal of Electronic Materials, Vol.47, Issue 9, pp 5083-5086
Gutiérrez, M.; Lloret, F.; Jurczak, P.; Wu, J.; Liu, H.Y.; Araújo, D.;
JCR Factor
1.676
JCR
Q3
Rank Cat.
85/148
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
42.905
SJR Factor
0.422
CiteScore
Q2
Rank Cat.
267/669
Cat. ASJC
ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING
CiteScore
2.5
SNIP
0.724
21.- CRYSTALLINE DEFECTS INDUCED DURING MPCVD LATERAL HOMOEPITAXIAL DIAMOND GROWTH 2018 - Nanomaterials, Vol.8, Issue 10, pp 814[1]-814[10]
Lloret, F.; Eon, D.; Bustarret, E.; Araújo, D.;
JCR Factor
4.034
JCR
Q1
Rank Cat.
71/293
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
Percentile JCR
75.939
SJR Factor
0.896
CiteScore
Q2
Rank Cat.
78/273
Cat. ASJC
GENERAL CHEMICAL ENGINEERING
CiteScore
3.5
SNIP
1.144
DOI: 10.3390/nano8100814
22.- CONTROL OF THE ALUMINA MICROSTRUCTURE TO REDUCE GATE LEAKS IN DIAMOND MOSFETS 2018 - Nanomaterials, Vol.8, Issue 8, pp 584[1]-584[8]
Gutiérrez, M.; Lloret, F.; Pham, T.T.; Cañas, J.; Reyes, D.F.; Eon, D.; Pernot, J.; Araújo, D.;
JCR Factor
4.034
JCR
Q1
Rank Cat.
71/293
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
Percentile JCR
75.939
SJR Factor
0.896
CiteScore
Q2
Rank Cat.
78/273
Cat. ASJC
GENERAL CHEMICAL ENGINEERING
CiteScore
3.5
SNIP
1.144
DOI: 10.3390/nano8080584
23.- BORON-DOPING PROXIMITY EFFECTS ON DISLOCATION GENERATION DURING NON-PLANAR MPCVD HOMOEPITAXIAL DIAMOND GROWTH 2018 - Nanomaterials, Vol.8, Issue 7, pp 480[1]-480[7]
Lloret, F.; Eon, D.; Bustarret, E.; Fiori, A.; Araújo, D.;
JCR Factor
4.034
JCR
Q1
Rank Cat.
71/293
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
Percentile JCR
75.939
SJR Factor
0.896
CiteScore
Q2
Rank Cat.
78/273
Cat. ASJC
GENERAL CHEMICAL ENGINEERING
CiteScore
3.5
SNIP
1.144
DOI: 10.3390/nano8070480
24.- CALIBRATION OF A COHESIVE MODEL FOR FRACTURE IN LOW CROSS-LINKED EPOXY RESINS 2018 - Polymers, Vol.10, Issue 12, pp 1321[1]-1321[20]
Torres, D.; Guo, S.; Villar, M.P..; Araújo, D.; Estevez, R.;
JCR Factor
3.164
JCR
Q1
Rank Cat.
17/89
Cat. JCR
POLYMERS SCIENCE
Percentile JCR
81.034
SJR Factor
0.724
CiteScore
Q2
Rank Cat.
46/151
Cat. ASJC
POLYMERS AND PLASTICS
CiteScore
3
SNIP
1.087
25.- SILICON (001) HETEROEPITAXY ON 3C-SiC(001)/Si(001) SEED 2018 - Materials Science Forum, Vol.924 MSF, Issue -, pp 128-131
Yeghoyan, T.; Alassaad, K.; McMitchell, S.R.C.; Gutierrez, M.; Souliere, V.; Araújo, D.; Ferro, G.;
JCR Factor
-
JCR
-
Rank Cat.
-/-
Cat. JCR
-
Percentile JCR
-
SJR Factor
0.173
CiteScore
Q4
Rank Cat.
465/587
Cat. ASJC
MECHANICAL ENGINEERING
CiteScore
0.5
SNIP
0.314
26.- SOLID SOLUTION STRENGTHENING IN GaSb/GaAs: A MODE TO REDUCE THE TD DENSITY THROUGH BE-DOPING 2017 - Applied Physics Letters, Vol.110, Issue 9, pp 092103[1]-092103[4]
Gutiérrez, M.; Araújo, D.; Jurczak, P.; Wu, J.; Liu, H.;
JCR Factor
3.495
JCR
Q1
Rank Cat.
29/146
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
80.479
SJR Factor
1.382
CiteScore
Q1
Rank Cat.
4/43
Cat. ASJC
PHYSICS AND ASTRONOMY (MISCELLANEOUS)
CiteScore
6.9
SNIP
1.244
DOI: 10.1063/1.4977489
27.- ATOMIC COMPOSITION OF WC/ AND Zr/O-TERMINATED DIAMOND SCHOTTKY INTERFACES CLOSE TO IDEALITY 2017 - Applied Surface Science, Vol.395, Issue -, pp 200-207
Piñero, J.C.; Araújo, D.; Fiori, A.; Traoré, A.; Villar, M.P.; Eon, D.; Muret, P.; Pernot, J.; Teraji, T.;
JCR Factor
4.439
JCR
Q1
Rank Cat.
1/19
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Percentile JCR
97.368
SJR Factor
1.093
CiteScore
Q1
Rank Cat.
11/117
Cat. ASJC
SURFACES, COATINGS AND FILMS
CiteScore
6.7
SNIP
1.328
28.- TWINS AND STRAIN RELAXATION IN ZINC-BLENDE GaAs NANOWIRES GROWN ON SILICON 2017 - Applied Surface Science, Vol.395, Issue -, pp 195-199
Piñero, J.C.; Araújo, D.; Pastore, C.E.; Gutierrez, M.; Frigeri, C.; Benali, A.; Lelièvre, J.F.; Gendry, M.;
JCR Factor
4.439
JCR
Q1
Rank Cat.
1/19
Cat. JCR
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Percentile JCR
97.368
SJR Factor
1.093
CiteScore
Q1
Rank Cat.
11/117
Cat. ASJC
SURFACES, COATINGS AND FILMS
CiteScore
6.7
SNIP
1.328
29.- MPCVD DIAMOND LATERAL GROWTH THROUGH MICROTERRACES TO REDUCE THREADING DISLOCATIONS DENSITY 2017 - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.214, Issue 11, pp 1700242[1]-1700242[5]
Lloret, F.; Gutierrez, M.; Araújo, D.; Eon, D.; Bustarret, E.;
JCR Factor
1.795
JCR
Q2
Rank Cat.
71/146
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
51.712
SJR Factor
0.648
CiteScore
Q2
Rank Cat.
31/117
Cat. ASJC
SURFACES, COATINGS AND FILMS
CiteScore
3.3
SNIP
0.762
30.- IMPACT OF THERMAL TREATMENTS IN CRYSTALLINE RECONSTRUCTION AND ELECTRICAL PROPERTIES OF DIAMOND OHMIC CONTACTS CREATED BY BORON ION IMPLANTATION 2017 - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.214, Issue 11, pp 1700230[1]-1700230[7]
Piñero, J.C.; Villar, M.P.; Araújo, D.; Montserrat, J.; Antúnez, B.; Godignon, P.;
JCR Factor
1.795
JCR
Q2
Rank Cat.
71/146
Cat. JCR
PHYSICS, APPLIED
Percentile JCR
51.712
SJR Factor
0.648
CiteScore
Q2
Rank Cat.
31/117
Cat. ASJC
SURFACES, COATINGS AND FILMS
CiteScore
3.3
SNIP
0.762
Proyectos activos durante el periodo 2017 - 2021.
1.- VOLAR CON DIAMANTES: ESTRUCTURAS AEROESPACIALES CFRP CONDUCTORAS ELÉCTRICAS Y TÉRMICAS
Ref. P20-00946, Programa: Plan Andaluz de Investigación
Organismo: CONSEJERIA DE ECONOMIA, CONOCIMIENTO, EMPRESAS Y UNIVERSIDADES Fecha inicio: 2021-10-06 Fecha fin: 2022-12-31
Importe concedido: 100.000,00€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
Organismo: CONSEJERIA DE ECONOMIA, CONOCIMIENTO, EMPRESAS Y UNIVERSIDADES Fecha inicio: 2021-10-06 Fecha fin: 2022-12-31
Importe concedido: 100.000,00€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
2.- NUEVOS CONFIGURACIONES DE PUERTAS PARA MISFETS DE DIAMANTE CON CANAL OPTO-ACTIVADO :CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN
Ref. PID2020-117201RB-C21, Programa: Plan Nacional I+D+i
Organismo: MINISTERIO DE CIENCIA E INNOVACIÓN Fecha inicio: 2021-09-01 Fecha fin: 2024-08-31
Importe concedido: 228.932,00€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
Organismo: MINISTERIO DE CIENCIA E INNOVACIÓN Fecha inicio: 2021-09-01 Fecha fin: 2024-08-31
Importe concedido: 228.932,00€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
3.- COMPOSITE DE FIBRA DE CARBONO (CFRP) CONDUCTOR TÉRMICO Y ELÉCTRICO POR PERCOLACIÓN DE NANO-DIAMANTES (CARBO-DIAM)
Ref. FEDER-UCA18-107851, Programa: Plan Andaluz de Investigación
Organismo: CONSEJERÍA DE ECONOMÍA Y CONOCIMIENTO. JUNTA DE ANDALUCÍA Fecha inicio: 2020-04-01 Fecha fin: 2023-03-31
Importe concedido: 152.500,00€ Participantes: 4
Rol: Participante
Organismo: CONSEJERÍA DE ECONOMÍA Y CONOCIMIENTO. JUNTA DE ANDALUCÍA Fecha inicio: 2020-04-01 Fecha fin: 2023-03-31
Importe concedido: 152.500,00€ Participantes: 4
Rol: Participante
4.- NUEVAS ALEACIONES DE CARBONO SEMICONDUCTORAS PARA UNA NUEVA GENERACIÓN DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS (CARBOTRONICS-PUENTE)
Ref. FEDER-UCA18-106470, Programa: Plan Andaluz de Investigación
Organismo: CONSEJERÍA DE ECONOMÍA Y CONOCIMIENTO. JUNTA DE ANDALUCÍA Fecha inicio: 2020-04-01 Fecha fin: 2021-03-31
Importe concedido: 45.587,71€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
Organismo: CONSEJERÍA DE ECONOMÍA Y CONOCIMIENTO. JUNTA DE ANDALUCÍA Fecha inicio: 2020-04-01 Fecha fin: 2021-03-31
Importe concedido: 45.587,71€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
5.- ARCHITECTURA 3D DE MOSFET ELABORADAS IN-SITU POR MPCVD PARA ELECTRÓNICA DEPOTENCIA.
Ref. TEC2017-86347-C2-1-R, Programa: Plan Nacional I+D+i
Organismo: MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD. PLAN NACIONAL I+D+I Fecha inicio: 2018-01-01 Fecha fin: 2020-12-31
Importe concedido: 156.090,00€ Participantes: 4
Rol: Investigador Principal
Organismo: MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD. PLAN NACIONAL I+D+I Fecha inicio: 2018-01-01 Fecha fin: 2020-12-31
Importe concedido: 156.090,00€ Participantes: 4
Rol: Investigador Principal
6.- GREEN ELECTRONICS WITH DIAMOND POWER DEVICES
Ref. 640947, Programa: Programas Europeos
Organismo: UNIÓN EUROPEA Fecha inicio: 2015-05-01 Fecha fin: 2019-04-30
Importe concedido: 220.000,00€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
Organismo: UNIÓN EUROPEA Fecha inicio: 2015-05-01 Fecha fin: 2019-04-30
Importe concedido: 220.000,00€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
7.- DISPOSITIVO DE ALTO VOLTAJE PARA ELECTRÓNICA DE POTENCIA VERDE: RELACIÓN NANOESTRUCTURA-FUNCIÓN.
Ref. TEC2014-54357-C2-2-R, Programa: Plan Nacional I+D+i
Organismo: MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD. PLAN NACIONAL I+D+I Fecha inicio: 2015-01-01 Fecha fin: 2017-12-31
Importe concedido: 150.645,00€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
Organismo: MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD. PLAN NACIONAL I+D+I Fecha inicio: 2015-01-01 Fecha fin: 2017-12-31
Importe concedido: 150.645,00€ Participantes: 6
Rol: Investigador Principal
Contratos activos durante el periodo 2017 - 2021.
No existen registros para el periodo citado.Patentes registradas por el autor
1.- DISPOSITIVO DE ALMACENAMIENTO DE ENERGÍA
Autores: ARAUJO GAY, DANIEL; CHICOT, GAUTHIER
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2022-12-19
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERIA METALURGICA
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2022-12-19
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERIA METALURGICA
2.- SUPERCONDENSADOR O BATERÍA DE DIAMANTE Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.
Autores: ARAUJO GAY, DANIEL; VILLAR CASTRO, MARIA DEL PILAR
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2022-12-19
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERIA METALURGICA
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2022-12-19
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERIA METALURGICA
3.- TRANSISTOR METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR DE EFECTO CAMPO (MISFET) DE DIAMANTE PARA ALTA POTENCIA CON CANAL OPTO-ACTIVADO
Autores: LLORET VIEIRA, FERNANDO MANUEL; ARAUJO GAY, DANIEL
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2021-05-31
Licenciada: NO Rol: Autor
Área: FISICA APLICADA
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2021-05-31
Licenciada: NO Rol: Autor
Área: FISICA APLICADA
4.- TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.
Autores: ARAÚJO GAY, DANIEL; LLORET VIEIRA, FERNANDO
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2018-11-29
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2018-11-29
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
5.- MOLDE PARA LA FABRICACIÓN DE PROBETAS RECTANGULARES DE ANCHO VARIABLE DE RESINAS EPOXI RTM.
Autores: TORRES URIONA, DERY; ARAÚJO GAY, DANIEL
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2015-05-18
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2015-05-18
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
6.- PROCEDIMIENTO PARA DETERMINAR LA TENACIDAD INTRÍNSECA DE POLÍMEROS.
Autores: VILLAR CASTRO, PILAR; ARAÚJO GAY, DANIEL; TORRES URIONA, DERY; ESTÉVEZ, RAFAEL
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2015-04-21
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2015-04-21
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
7.- SISTEMA DE CATODOLUMINISCENCIA PARA MICROSPCOPIO ELECTRÓNICO DE BARRIDO.
Autores: ARAUJO GAY, DANIEL; GARCÍA FUENTES, ANTONIO JUAN
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2004-11-11
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Ref. P201831162 Fecha Solicitud: 2004-11-11
Licenciada: NO Rol: Solicitante
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Software desarrollados
No existen registros para el periodo citado.Tesis tutorizadas
1.- CRECIMIENTO LATERAL MPCVD DE DIAMANTE HOMOEPITAXIAL PARA DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
Directores: ARAÚJO GAY, DANIEL
Doctorando: LLORET VIEIRA, FERNANDO Fecha lectura: 15/06/2017
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Doctorando: LLORET VIEIRA, FERNANDO Fecha lectura: 15/06/2017
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
2.- ROLE OF INTERFACE CONFIGURATION IN DIAMOND-RELATED POWER DEVICES
Directores: ARAÚJO GAY, DANIEL; VILLAR CASTRO, Mª DEL PILAR
Doctorando: PIÑERO CHARLO, JOSÉ CARLOS Fecha lectura: 27/06/2016
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Doctorando: PIÑERO CHARLO, JOSÉ CARLOS Fecha lectura: 27/06/2016
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
3.- CALIDAD CRISTALINA E INCORPORACIÓN DE BORO EN HOMOEPITAXIAS DE DIAMANTE
Directores: VILLAR CASTRO, Mª DEL PILAR; ARAÚJO GAY, DANIEL
Doctorando: ALEGRE SALGUERO, MARÍA DE LA PAZ Fecha lectura: 10/02/2015
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Doctorando: ALEGRE SALGUERO, MARÍA DE LA PAZ Fecha lectura: 10/02/2015
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
4.- CÉLULAS FOTOVOLTAICAS DE CONCENTRACIÓN: RELACIÓN ESTRUCTURA VERSUS PROPIEDADES ELECTRÓNICAS
Directores: ARAÚJO GAY, DANIEL
Doctorando: PASTORE, CARLO ENZO Fecha lectura: 05/06/2014
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Doctorando: PASTORE, CARLO ENZO Fecha lectura: 05/06/2014
Calificación: SOBRESALIENTE/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
5.- CONTRIBUCIÓN A LA MEJORA DE PROPIEDADES EN RESINA DE USO AERONAÚTICO MEDIANTE REFUERZO CON NANOPARTÍCULAS
Directores: ARAÚJO GAY, DANIEL; VILLAR CASTRO, Mª DEL PILAR
Doctorando: TORRES URIONA, DERY Fecha lectura: 23/11/2012
Calificación: APTO/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
Doctorando: TORRES URIONA, DERY Fecha lectura: 23/11/2012
Calificación: APTO/CUM LAUDE UNANIMIDAD Mención Internacional: Sí
Área: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA
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