Hoy, 4 de octubre, pudimos disfrutar de la conferencia “Valence band engineering for high-sensitivity photodetectors” impartida  por  Dr. Robert D. Richards, de la Universidad de Sheffield. 

El Dr. Richards obtuvo su doctorado en el crecimiento MBE de GaAsBi de la Universidad de Sheffield en 2014 y obtuvo una beca de investigación de la Real Academia de Ingeniería entre 2017 y 2022. Ahora está investigando el uso de ingeniería de banda de valencia habilitada con bismuto para producir avalanchas extremadamente sensibles. fotodetectores (APD). La incorporación de bismuto en muchas aleaciones III-V convencionales induce un rápido aumento en el desdoblamiento espín-órbita. Esto actúa para evitar que los agujeros causen ionización por impacto, reduciendo el exceso de ruido en los dispositivos. El Dr. Richards discutirá los desafíos asociados con el crecimiento de MBE de materiales de bidmida diluidos y las perspectivas de su uso en APD de alta sensibilidad.